K波段接收
CHR2411-QDG
电气特性
整个温度范围
符号/销
RX_RF
RX_LO
RX_IF
RX_RF
RX_LO
RX_IF
巴解组织
频带
频带
频带
回波损耗
回波损耗
如果负载阻抗
LO驱动功率
转换增益
增益随温度变化
SSB噪声系数（ IF = 1MHz的）
输入功率为1 dB增益压缩@ 24GHz的
输入IP3 @ 24GHz的
LO至RF隔离
+ VG， + Vd的
顶部
电源电压
电源电流
工作温度范围（ 3 ）
-40
0
19
参数
民
22
22
DC
8
8
15
15
50
5
23
±
2.5
7
-21
-12
-45
5
60
25
80
100
-30
典型值
最大
24.5
24.5
1
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
欧
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
V
mA
°C
备注：
这些性能与安装建议采用QFN封装的芯片已获得
本文档中描述的电路板（参考95541 & 95581 ） 。这些性能在很大程度上取决于
这样的环境。
绝对最大额定值
(1)
符号
+ VG， + Vd的
+I
巴解组织
PRF
顶部
TSTG
参数
最大POS可持续的竞争供电电压
最大的正电源电压
最大峰值输入功率过载
最大峰值输入功率过载
工作温度范围（ 2）
存储温度范围
值
6
90
8
-12
-40至+100
-55到+125
单位
V
mA
DBM
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。持续时间1秒<
QFN封装的背面侧的（2）的温度。热阻Rth = 155 ° C / W
参考文献。 ： DSCHR2411QDG6174 - 06年6月23日
2/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
