CHR2299-99F
电气特性
TAMB 。 = + 25°C
符号
F_RF
F_LO
F_IF
Gc
林REJ
P_LO
NF
IMD3
RL_RF
RL_LO
P_4FLO
4xFLO_Lk
DX ， DA
GM
G3
GX
IDT
参数
40-44GHz下变频器
民
40
9.5
DC
典型值
最大
44
11.5
2.0
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dBc的
dB
dB
DBM
DBM
V
V
V
V
mA
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益
镜像抑制
LO输入功率
噪声系数为IF>0.1GHz
在引脚互调电平
2tones
= -30dBm
RF回波损耗
LO回波损耗
输出功率4LO_OUT港
在RF端口4xFLO泄漏
LO倍频，缓冲和LNA偏置
混频器栅极偏置
LO缓冲器闸偏置
乘数门偏置
总偏置电流
21
12
0
4.5
45
6
12
-1
-38
4
-0.6
-0.3
-1.2
240
静电放电敏感器件观察处理注意事项！
这些值代表在船上测量具有90 °混合耦合器芯片。
绝对最大额定值（ 1 ）
TAMB = + 25°C
符号
参数
值
DX ， DA
LO倍频，缓冲和LNA偏置
4.5
IDT
总偏置电流
300
通用， G3 ， GX栅极偏置电压
-2; +0.6
P_LO
最大峰值LO输入功率过载
(2)
10
(2)
Pin_RF
最大峰值输入射频功率过载
-5
Tj
结温
175
Ta
工作温度范围
-40至+85
TSTG
存储温度范围
-55〜 155
RTH
热电阻， Tback方= + 85 ° C， P总= 0.96 W¯¯
80
(1)
(2)
单位
V
mA
V
DBM
DBM
°C
°C
°C
° C / W
该设备上面这些参数的任何操作可能会造成永久性的损害
持续时间1秒<
2/12
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参考文献。 ： DSCHR22992012 - 12年1月19日
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