CHM2179a
W波段混频器
GaAs单片微波IC
描述
该CHM2179a是一个平衡肖特基
基于六四分之一波二极管混频器
环结构。这个电路被制造
与BES - MMIC工艺： 1微米
肖特基二极管装置，空气桥梁，通过
通过在衬底的步进孔
光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
LO
RF
IF
-5
■
W波段LO和RF频率范围
■
低转换损耗
■
如果从DC到100MHz的
■
高LO / RF隔离
■
高LO / AM噪声抑制
■
非常低中频噪声
■
低LO输入功率
■
小的芯片尺寸： 1.53 X 1.17 X 0.10毫米
转换损耗（dB ）
主要特点
-7,5
-10
-12,5
-15
75
75,5
76
76,5
77
77,5
78
LO频率（GHz ）
典型的转换特性
LO功率= 5dBm的; IF = 10MHz时
（测量测试夹具）
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
F_LO ， F_RF
F_IF
Lc
I_lo / RF
N_if
参数
LO ， RF频率范围
IF频率范围
转换损耗
LO / RF隔离
中频噪声密度@ 100kHz的
典型值
76-77
DC-100
7.5
20
-158
单位
GHz的
兆赫
dB
dB
dBm / Hz计
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCH21790192 - 22军， 00
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