CHM1190
电气特性
TAMB 。 = 25°C
符号
F_LO
F_IF
Lc
P_LO
P-1dB
VSWR_lo
VSWR_rf
VSWR_IF
I_lo / RF
K波段混频器
参数
LO频率范围
IF频率范围
转换损耗@ P- LO = 7dBm （ 1 ）
LO输入功率
输入1dB压缩
LO端口驻波比（ 50Ω ） （ 2 ）
RF端口驻波比（ 50Ω ） （ 2 ）
RF端口驻波比（ 50Ω ） （ 2 ）
LO / RF隔离
民
22
1
典型值
最大
24
3
单位
GHz的
GHz的
dB
7
5
7
7
2.5:1
2.5:1
2.5:1
30
9
DBM
DBM
dBc的
（1）在晶片的测量。
（2 ）取决于引线接合条件和外部匹配网络上。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
P_LO
P_RF
P_IF
顶部
TSTG
参数
在LO端口的最大峰值输入功率过载（ 2 ）
在RF端口最大峰值输入功率过载（ 2 ）
在IF端口的最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
10
10
10
-40至+85
-55到+125
单位
DBM
DBM
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒
参考文献。 ： DSCHM11909025
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