80W功率封装晶体管
建议的直流工作额定值
TCASE = + 25°C
符号
参数
V
DS
漏源极电压
V
GS_Q
栅极至源极电压
I
D_Q
I
D- MAX
I
g最高
静态漏
当前
漏电流
民
20
典型值
-1.8
0.6
4
0
2
(1)
CHK080A-SRA
最大
50
单位
V
V
A
A
mA
°C
条件
V
D
= 50V ，我
D_Q
=600mA
(I
D_Q
= 300毫安每个
晶体管）
V
D
=50V
V
D
=50V,
压缩模式
压缩模式
栅电流
（转发模式）
T
J- MAX
结温
(1)
通过耗散功率的限制
48
200
DC特性
TCASE = + 25°C
符号
参数
民
典型值
最大单位
条件
V
P
捏-O FF电压
-3
-2
-1
V
V
D
= 50V ，我
D
=I
DSS
/100
(1)
I
D_SAT
饱和漏极电流
16
A
V
D
=7V, V
G
=2V
栅极漏电流
I
G_leak
-6
毫安V
D
=50V, V
G
=-7V
（反向模式）
漏源
V
BDS
200
V
V
G
= -7V ，我
D
=20mA
击穿电压
° C / W
CW模式
R
TH
热阻
1.8
(1)
有关信息，受我
D- MAX
，看到绝对最大额定值
射频特性（ CW）
TCASE = + 25 ° C，
CW模式，
F = 3GHz的，V
DS
= 50V ，我
D_Q
=600mA
(I
D_Q
= 300毫安每个晶体管）
符号
G
SS
P
SAT
PAE
G
PAE_MAX
参数
小信号增益
饱和输出功率
最大功率附加效率
在最大PAE相关增益
民
14
70
45
典型值
16
80
50
12
最大
单位
dB
W
%
dB
参考文献。 ： DSCHK080A - SRA3148 - 13年6月28日
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