80W功率封装晶体管
CHK080A-SRA
在演示板的典型表现(参考61500192 )
校准和测量完成对连接器参考的访问
演示电路板
TCASE = + 25 ° C,脉冲模式
(1)
测得的编号,增益,噘& PAE
F = 3GHz的,V
DS
= 50V ,我
D_Q
= 600毫安
55
10
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
在3GHz脉冲模式
噘
增益(dB) , Pout的( dBm的) & PAE (%)
9
8
6
PAE
Id
5
4
收益
3
2
1
0
输入功率(dBm )
测量增益,噘& PAE
PIN = 39dBm ,V
DS
= 50V ,我
D_Q
= 600毫安
60
58
56
54
52
50
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
脉冲模式
PAE
收益
2.7
(1)
2.8
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
频率(GHz )
RF输入和栅极电压脉冲。条件为25μs的宽度, 10 %的占空比和1μs的
直流和射频脉冲之间的时间偏移。
参考文献。 : DSCHK080A - SRA3148 - 13年6月28日
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增益(dB )
噘
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
的Pout ( dBm的) & PAE (%)
漏电流( A)
7