40W功率封装晶体管
CHK040A-SOA
在演示板的典型表现(参考61499547 )
校准和测量完成对连接器参考的访问
演示电路板
TCASE = + 25 ° C,脉冲模式
(1)
测得的编号,噘,增益& PAE
F = 3GHz的,V
DS
= 50V ,我
D_Q
= 300毫安
55
3.3
增益(dB) , Pout的( dBm的) & PAE (%)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
14
在3GHz脉冲模式
3
2.7
噘
Id
PAE
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
收益
0.9
0.6
0.3
0
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
输入功率(dBm )
测量增益,噘& PAE
PIN = 38dBm ,V
DS
= 50V ,我
D_Q
= 300毫安
56
54
52
脉冲模式
PAE
19
18
17
16
15
的Pout ( dBm的) & PAE (%)
50
48
46
44
42
40
38
36
34
噘
14
13
12
11
收益
10
9
8
32
30
2.7
2.8
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
7
6
频率(GHz )
(1)
RF输入和栅极电压脉冲。条件为25μs的宽度, 10 %的占空比和1μs的
直流和射频脉冲之间的时间偏移。
参考文献。 : DSCHK040ASOA3021 - 13年1月21日
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ID ( A)
增益(dB )