CHE1270a
笔记
在RF
12-40GHz探测器
匹配
27kΩ
Ω
VDET
DC
27kΩ
Ω
VREF
推荐使用外部电阻组件
27kΩ电阻与Vdet中和Vref焊盘平行建议,以提供最佳的
行为,在整个工作温度范围内。
作为电压检测为Vref和Vdet中,外部电阻值之间的差
应于这两个端口是相同的。
供的信息, 3%的变化导致周围检测到的电压的变化为1mV 。
由于对RF输入ESD保护电路,外接电容可能会要求
隔离从外部电压的产品,它可以存在于所述RF通路。
ESD保护也实施了Vdet中和Vref访问。
由于在芯片上的BCB的涂层,资格域意味着芯片必须粘接。
订购信息
芯片形式:
CHE1270a-98F/00
提供的资料被认为是准确和可靠。但
联合单片半导体
S.A.S.
对使用这些信息的后果也不对任何侵权行为概不负责
第三方专利或可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或
否则,下的任何专利或专利权
联合单片半导体S.A.S ..
特定网络阳离子
本出版物中提到如有变更,恕不另行通知。本出版物取代并替换所有
以前提供的信息。
联合单片半导体S.A.S.
产品不授权使用
未经明确的书面许可,生命支持设备或系统的关键组件
美国单片
半导体S.A.S
参考文献。 : DSCHE1270a8205 - 08年6月25日
6/6
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09