CHE1260
电气特性
TAMB = + 25 ° VDC = + 4.5V (在DC_I和DC_R )
C,
符号
F
IL
Cd
Dr
Pr
参数
频带
插入损耗
定向耦合器
动态范围
功率范围:
10 - 17GHz
17 - 21GHz
21 - 24GHz的
24 - 27GHz
(用于发送和/或反射功率)
Vdetect_I
电压检测的发射功率
Vref_I - Vdet_I
从Pr_min到Pr_max
Vdetect_R电压检测的反射功率
Vref_R - Vdet_R
从Pr_min到Pr_max
RLIN
RLOUT
VDC
IDC
输入回波损耗
输出回波损耗
偏压
偏置电流(在端口DC_I或DC_R )
-1
-3
-6
-8
10-27GHz探测器
民
10
典型值
最大
27
单位
GHz的
dB
dB
dB
0.8
13
30
DBM
20
to
2500
20
to
2500
-11
-11
4.5
33
dB
dB
V
µA
mV
mV
这些值代表了在片制成,没有粘合的测量
电线在RF端口,但与100kΩ的电阻上并联垫Vdet_I , Vref_I , Vdet_R和
Vref_R (见注,第8页) 。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25 °
C
符号
VDC
顶部
TSTG
P_MAX
参数
偏置电压(端口DC_I和DC_R )
工作温度范围
存储温度范围
最大功率(用于发送和/或反射功率)
值
6
-40至+85
-55到+125
30
单位
V
°
C
°
C
DBM
( 1 )本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
参考文献。 : DSCHE1260-8058 - 08年2月28日
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