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CHC3014 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHC3014
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内容描述: X波段RX- TX核心芯片GaAs单片微波IC [X-band RX-TX Core Chip GaAs Monolithic Microwave IC]
分类和应用: 微波
文件页数/大小: 16 页 / 1043 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHC3014
电气特性
T= +25°
C
符号
频率
参数
工作频率
RX模式
线性增益在接收模式时的参考
状态( 1 )
在接收模式下的输入回波损耗
在接收模式下输出回波损耗
在接收模式下的噪声系数( 2 )
在RXOUT输出功率1分贝增益
压缩
TX模式
线性增益TX模式在参考
状态( 1 )
TX模式输入回波损耗
TX模式输出回波损耗
在饱和的Tx模式下的输入功率范围
输出功率在TXOUT在饱和
模式
隔离模式( 3 )
回波损耗在RXIN / TXOUT
6位的移相器(4)
相移的基本步骤
峰值相位误差
( RX,TX ,精细衰减状态< 33
调整衰减状态1 )
8 GHz的- 8.5GHz
8.5千兆赫, 11.5 GHz的
11.5千兆赫, 12千兆赫
RMS相位误差
( RX,TX ,精细衰减状态< 33
调整衰减状态1 )
8千兆赫, 8.5千兆赫
8.5千兆赫, 11.5 GHz的
11.5千兆赫, 12千兆赫
幅度变化
( RX,TX ,精细衰减状态< 33
调整衰减状态1 )
RMS振幅变化
( RX,TX ,精细衰减状态< 33
调整衰减状态1 )
8-12GHz RX- TX核心芯片
8
典型值
最大
12
单位
GHz的
Gl
RX
S11
RX
S22
RX
NF
P1dBc
RX
13.5
-14
-18
5.8
16.5
dB
dB
dB
dB
DBM
Gl
TX
S11
TX
S22
TX
TX
PSAT
TX
25
-14
-12
0
20
15
dB
dB
dB
DBM
DBM
S11
隔离
-15
0-360
5.625
dB
°
°
PPE
4±6
0±6
4±6
°
Rms_pe
2.5
2
2.5
0±1
°
Ampvar
dB
Rms_Ampvar
0.3
dB
参考文献。 : DSCHC30149043 - 09年2月12日
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