CHA7115-99F
符合RoHS
X波段高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA7115是单片的三阶段
高砷化镓功率放大器设计
X波段的应用。
自置居所津贴通常提供8W输出功率
在相关的36 ％的功率附加效率
4dBcomp和高稳健性
失配负载。
该器件采用0.25μm制造
功率pHEMT工艺，通孔包括，
通过在基片和空气桥。
它是在芯片的形式提供。
VG2 Vd2的
VG3 Vd3的
Vg1
IN
OUT
Vd1
Vd2
VG3 Vd3的
的Pout （ dBm的） & PAE （％） &增益（ dB）的
主要特点
0.25微米功率pHEMT技术
频段： 8.5 - 11.5GHz
输出功率： 39dBm @ 4dBcomp
高线性增益： > 27分贝
高PAE ： 37 ％@ 4dBcomp
静态偏置点： VD = 8V ，ID = 2.2A
芯片尺寸
:
4.59 X 3.31 X 0.07毫米
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
频率（GHz ）
脉冲： 25μs的10 ％
线性增益
PAE @ 4dBc
噘嘴@ 4dBc
主要特点
VD = 8V ， ID（静态） = 2.2A ，漏脉冲宽度= 25μs的，占空比= 10 ％
符号
参数
民
典型值
FOP
PAE_4dB
P_4dB
G
工作频率范围
功率附加效率@ 4dBcomp @ 20℃
输出功率@ 4dBcomp @ 20℃
小信号增益@ 20℃
8.5
37
39
27.5
最大
11.5
单位
GHz的
%
DBM
dB
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献： DSCHA71151069 - 11年3月10日
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