CHA7114
电气特性
X波段高功率放大器
TAMB = 25 ° VD = 8V ， ID（静态） = 2A ，脉冲无线嗞= 25μs的，占空比= 10 ％
C,
参数
民
典型值
最大
单位
FOP
工作频率
8.5
11.5
GHz的
G
小信号增益
17.5
20
23
dB
G_T
小信号增益变化与
-0.033
分贝/ Ω
C
温度
RLIN
输入回波损耗
8
10
dB
RLOUT
输出回波损耗
6
8
dB
PSAT
饱和输出功率
39.8
DBM
Psat_T
饱和输出功率变化
-0.008
分贝/ Ω
C
与温度的关系
P_4dBc
输出功率@ 4dBc （ 2 ）
38
39
DBM
PAE_4dBc
功率附加效率@ 4dBc
36
42
%
Id
供应漏电流
2.3
2.6
A
VD1，VD2
漏极电源电压（ 2）
8.0
8.5
V
Id_q
供应的静态漏极电流（1）
2.0
A
VG1 ， VG2
栅极电源电压
-4.0
V
顶部
工作温度范围
-40
+80
°
C
（ 1）参数可以由Vg的调谐调节
（2）对Vd的0.5V变化导致围绕输出功率（上冲击的0.4分贝变异
稳健性看最大额定值）
符号
绝对最大额定值（ 1 ）
环境温度Tamb = 25℃
C
符号
CMP
Vd
Id
Id_sat
Vg
Tj
TSTG
(1)
参数
压缩级别（ 2 ）
漏极电源电压（3）
漏极电源静态电流
排水饱和电源电流
栅极电源电压
最大结温（4）
存储温度范围
值
6
10
2.5
3
-8
175
-55到+125
单位
dB
V
A
A
V
°
C
°
C
该设备上面这些参数的任何操作可能会导致永久性的
损害。
(2)
对于较高压缩程度的限制，可以增加通过降低电压
VD使用率为0.5 V / dBc的
(3)
如果没有RF输入功率
(4)
等效热阻背面：背面的温度5.6 ° C / W 。 80°
C.
[结温来自： TJ = Tbackside + ETRB ×（耗散功率）
哪里
ETRB
代表
等效热阻
to
背面。
]
参考文献。 ： DSCHA7114-7347 - 07年12月13日
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