X波段高功率放大器
结合建议
CHA7012
对热和电方面的考虑，芯片应该钎焊在金属底板上。
在RF ， DC和调制端口间的连接应根据以下进行
表：
PORT
连接
在（1）
输出（ 12）
DC垫1
st
级别脱钩
双合
DC垫1
st
级别脱钩
单合
st
nd
1去耦级2
去耦级双
合
st
nd
1去耦级2
去耦级单
合
电感（ Lbonding ） = 0.3nH
400μm的长度为25微米的金属丝直径
电感（ Lbonding ） = 0.3nH
400μm的长度为25微米的金属丝直径
电感（ Lbonding ） = 0.7nH
两1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感（ Lbonding ） = 1nH的
一1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感（ Lbonding ） = 0.7nH
两1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感（ Lbonding ） = 1nH的
一1.2毫米长度的电线的直径为25微米
在测试夹具大会提出建议
（使用TTL电路）
VC *
TI *
100pF
IN
OUT
非电容垫
10nF
1µF
TI *
100µF
VC *
*与连接到相同的电源相同的访问获得的性能
注：供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金线是优选的。
参考文献。 ： DSCHA70129082- 09年3月23日
9/10
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
