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CHA7010_04 参数 Datasheet PDF下载

CHA7010_04图片预览
型号: CHA7010_04
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内容描述: X波段的GaInP HBT大功率放大器 [X-band GaInP HBT High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 7 页 / 386 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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X波段高功率放大器
电气特性
CHA7010
环境温度Tamb = 25°C ,VC = 9V , IC ( Quiescient ) = 2.4A ,脉冲宽度=为80μs ,占空比= 30 %
符号
F_op
G_lin_1
G_lin_2
G_lin_T
RL_in
RL_OUT
P_sat_1
P_sat_2
P_sat_T
P_1dBc_1
P_1dBc_2
PAE_sat
PAE_1dBc
Vc
Ic
VCTR
Zctr
顶部
参数
工作频率
线性增益( 8.4〜 9.4GHz )
线性增益( 9.4〜 10.4GHz )
线性增益变化与温度的关系
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和输出功率( 8.4〜 9.8GHz )
饱和输出功率( 9.8〜 10.4GHz )
饱和输出功率变化对
温度
输出功率@ 1dBc ( 8.4〜 9.8GHz )
输出功率@ 1dBc ( 9.8〜 10.4GHz )
在饱和功率附加效率
功率附加效率@ 1dBc
电源电压
供电的静态电流(1)
集电极电流控制电压(2)
VCTR输入端口阻抗(3)
工作温度范围( 4)
8.4
14
16
8
6
39
38
典型值
9.4
16
18
-0.035
12
12
40
39
-0.01
39
38
35
32
9
2.4
5.1
350
最大
10.4
单位
GHz的
dB
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
分贝/°C的
DBM
DBM
%
%
V
A
V
欧姆
°C
38
37
30
-30
+70
(1)
(2)
(3)
(4)
这个参数是固定的VCTR
控制电压脉冲的建议报告。
此值对应于平行(引脚3 , 8,16, 21)的4个端口
基准是在芯片的背面侧
绝对最大额定值( 1 )
环境温度Tamb = 25°C
符号
CMP
Vc
Ic
Ic_sat
VCTR
TSTG
(1)
(2)
参数
压缩级别( 2 )
电源电压
电源静态电流
在饱和电源电流
集电极电流控制电压
存储温度范围
6
10
2.8
3.5
6.5
-55到+125
单位
dB
V
A
A
V
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
对于较高压缩程度的限制,可以增加通过使用速率下降的电压Vc
0.5 V / dBc的
参考文献。 DSCHA70104054 - 04年2月23日
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路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09