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型号: CHA7010
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内容描述: X波段的GaInP HBT大功率放大器 [X-band GaInP HBT High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 7 页 / 386 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA7010
符合RoHS
X波段的GaInP HBT大功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
CHA7010
是单片两阶段
砷化镓高功率放大器专为X
频带应用。
此装置被使用的GaInP制
HBT工艺,经由通孔,包括
在基片和空气桥。氮化物
层保护的晶体管和
无源组件。特殊的散热
技术实现,以保证
高可靠性。
为了简化装配过程:
在芯片的背面是RF和
直流接地
键合焊盘和背面侧有金
镀有共晶芯片的兼容性
连接法和热压或
热压粘合处理。
VCTR
VCTR
Vc
主要特点
10W输出功率
高增益: > 18分贝@ 10GHz的
高PAE : > 35 %@ 10GHz的
片上偏置控制
线性集电极电流控制
脉冲高阻抗接口
模式
温度补偿
芯片尺寸: 4.74 X 4.36 X 0.1毫米
Vc
输入
匹配
级间
产量
VCTR
Vc
VCTR
Vc
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
F_op
P_sat
P_1dBc
G_lin
参数
8.4
典型值
9.4
10
8
18
1/7
最大
10.4
单位
GHz的
W
W
dB
工作频率范围
饱和输出功率
输出功率@ 1dBc
线性增益
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA70104054 - 04年2月23日
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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