CHA6518
符合RoHS
5 - 18 GHz的高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
该
CHA6518
是单片的三阶段
高砷化镓功率放大器设计
宽带应用。
此装置被使用的UMS制
0.25微米功率pHEMT工艺，其中包括，
通过穿过基板和空气孔
桥梁。
为了简化装配过程：
•
在芯片的背面是RF和
直流接地
•
键合焊盘和背面侧的镀金
与晶兼容芯片粘接
法
和
热超声
or
热压粘合处理。
Vg
Vg
Vd
主要特点
n
n
n
n
n
n
0.25微米功率pHEMT技术
5 - 18 GHz的频率范围
2W输出功率
24分贝标称增益
静态偏置点： 8V ; 1A
芯片尺寸： 5.23毫米X 3.26毫米X
0.07 mm
Vg
Vd
50
Ω
IN
输入
匹配
之间
舞台
阶段1 /
第2阶段
之间
舞台
阶段2 /
第三阶段
产量
50
Ω
合
OUT
Vd
Vg
Vd
Vg
Vd
VD = 8 V
主要特点
环境温度Tamb = 25 ℃（环境温度Tamb是在芯片的背面侧）的
符号
参数
F_op
P_sat
G_lin
工作频率范围
饱和输出功率
线性增益
民
5
典型值
33.5
24
最大
18
单位
GHz的
DBM
dB
参考文献。 ： DSCHA65185007 - 05年1月7日
1/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
