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CHA6517-99F/00 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA6517-99F/00
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内容描述: 6 - 18 GHz的高功率放大器 [6 - 18 GHz High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 10 页 / 432 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA6517
符合RoHS
6 - 18 GHz的高功率放大器
GaAs单片微波IC
描述
CHA6517
是一款双通道
整体三个阶段的砷化镓高功率
放大器,设计用于宽带
应用程序。
此装置被使用的UMS制
0.25微米功率pHEMT工艺,其中包括,
通过穿过基板和空气孔
桥梁。
为了简化装配过程:
在芯片的背面是RF和
直流接地
键合焊盘和背面侧有金
镀有共晶芯片的兼容性
连接法和热压或
热压粘合处理。
输出功率与频率
Vg
Vd3
主要特点
0.25微米功率pHEMT技术
6 - 18 GHz的频率范围
每声道32dBm的输出功率
兼容均衡配置
22分贝标称增益
静态偏置点: 600毫安@ 8V
每通道
芯片尺寸: 4.32 X 3.90 X 0.07毫米
输入A
OUTPUT A
Vd1
Vd2
Vd3
输入B
OUTPUT B
Vg
Vd3
主要特点
环境温度Tamb = + 25° (环境温度Tamb是在芯片的背面侧)的
C
符号
F_op
PSAT
G_lin
参数
工作频率范围
饱和输出功率
线性增益
6
30
19
32
22
典型值
最大
18
单位
GHz的
DBM
dB
参考文献。 : DSCHA6517-8205 - 08年6月25日
1/10
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
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