CHA6517
6-18GHz高功率放大器
电气特性（单声道）
环境温度Tamb = 25° （ 2 ） ， VD = 8V ， ID（ Quiescient ） = 0.6A ，脉冲偏压模式
C
符号
F_op
G_lin
RL_in
RL_OUT
PSAT
PAE_sat
Vd
Id
Vg
顶部
参数
工作频率
线性增益（引脚= -5dBm ）
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和输出功率（Pin = 11dBm ）
在饱和功率附加效率
正电源电压
供电的静态电流（1）
负电源电压
工作温度范围（ 2）
民
6
19
典型值
22
-14
-8
32
15
8
0.6
-0.4
最大
18
-8
-4
30
-40
+70
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
%
V
A
V
°
C
（1）这个参数是固定的栅电压Vg
（2 ）基准是在芯片的背面侧
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
销（2）
Vd的（2）
ID（ 2 ）
PD （2）
Tj
TSTG
(1)
(2)
参数
最大输入功率
无射频功率电源正极
正电源静态电流
功耗
结温
存储温度范围
值
19
8.5
1
13.5
175
-55到+125
单位
DBM
V
A
W
°
C
°
C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
这些数值为环境温度Tamb规定= 25°
C
参考文献。 DSCHA65179250 - 09年9月7日
2/10
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
