CHA4693-QGG
17-27GHz可变增益放大器
器件的热性能：
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来才通过封装的热传导垫片（无对流模式
考虑） 。
将温度在封装背面侧侧接口（温度上限）来监测，如图
下文。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB必须
设计符合这种要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
下面maintened比以保证标称规定的最高温度
设备寿命时间（MTTF ）（见曲线PDIS最大） 。
设备散热规范： CHA4693 - QGG
马克斯。结温（Tj最大）
:
169 °C
马克斯。连续耗散功率@温度上限=
85 °C :
1,1 W
= > PDISS降额以上的温度上限=
85 °C :
13毫瓦/°C的
结 - 壳热阻（ Rth的J- C） *
:
<74 ° C / W
分钟。包装背面的操作温度**
:
-40 °C
马克斯。包装背面的操作温度**
:
85 °C
分钟。储存温度
:
-55 °C
马克斯。储存温度
:
125 °C
* Rth的JC被计算为，其中在MMIC的较热结被认为是最坏的情况。
**温度上限=下的模片连接垫测量封装背面侧的温度。
1,2
1
PDISS 。马克斯。 （W）的
0,8
0,6
0,4
PDISS 。马克斯。 （W）的
0,2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度上限（ ℃）
TCASE
的QFN 16L 3x3的例子
背面图，温度
基准点（温度上限）的位置。
参考文献。 ： DSCHA4693 - QGG8144 - 08年5月23日
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