CHA3689
片上偏置选项
12.5-30GHz低噪声放大器
该芯片是自偏置和灵活性被访问的焊盘数目提供。该
内部直流电气示意图，给出以一种安全的方式使用这些垫。
Vd1
1.34k
0.4k
42
3k
0.42k
Vd2
3k
5
0.42k
Vd3
3.3
RFIN
112
11.6
B
RFOUT
20
9.9
D
13.4
要求是不超过VDS = 3.5Volt （内部漏极至源极电压） 。
我们提出两个标准偏：
•
低噪音，低功耗：
VD = 4V和B ，D不连接（ NC） 。
IDD = 90毫安&噘， 1分贝= 14dBm的典型。
VD = 4V和B ，D接地。
IDD = 120毫安&噘， 1分贝= 15dBm的典型。
•
低噪声和高输出功率：
订购信息
芯片形式：
CHA3689-99F/00
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S.A.S.
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特定网络阳离子
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参考文献。 ： DSCHA36897082 - 07年3月23日
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