CHA3689
符合RoHS
12.5-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA3689是一个三阶段的自偏置
宽带单片低噪声放大器。
RFIN
Vd1
Vd2
Vd3
该电路与一个标准的制
P- HEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
B
D
RFOUT
主要特点
■
宽带性能12.5-30GHz
■
2.0分贝噪声系数
■
26分贝增益（ 12.5-26GHz ）
■
26dBm的输出IP3 （ 18-30GHz ）
■
低DC功耗
■
芯片尺寸： 2.45 X 1.21 X 0.1毫米
增益& NF（ dB）的
增益和噪声系数@ 120毫安（ BD接地）
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
收益
NF
频率（GHz ）
晶圆典型的测量
主要特点
TAMB = + 25 ° Vd1的= = Vd2的Vd3的= + 4V
C,
符号
NF
G
P1dB
噪声系数
收益
在1分贝增益压缩输出功率
23
14
垫B，D = GND （高电流配置）
民
典型值
2.0
26
15
参数
最大
2.5
单位
dB
dB
DBM
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA36897082 - 07年3月23日
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