CHA3666
符合RoHS
6-17GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA3666是一个两阶段的自偏置
宽带单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
pHEMT工艺: 0.25微米栅长,通过
穿过衬底,空气桥的孔和
电子束光刻门。
VD1
VD2
RFIN
RFOUT
UMS
P1
P2
N2
主要特点
■
宽带性能6-17GHz
■
1.8分贝噪声系数
■
26dBm的3
rd
阶截取点
■
17dBm的功率,在1dB压缩
■
21分贝增益
■
低DC功耗
24,0
22,0
20,0
18,0
16,0
14,0
12,0
10,0
8,0
6,0
4,0
2,0
0,0
4,00
6,00
8,00
10,00
12,00
14,00
16,00
18,00
收益
NF
主要特点
温度= + 25 ° Vd1的= Vd2的= + 4V垫: P1 , N2 = GND
C,
符号
NF
G
IP3
噪声系数
收益
3阶截取点
19
参数
民
典型值
1.8
21
26
最大
2
单位
dB
dB
DBM
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA3666-8108 - 08年4月17日
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