CHA3666-QAG
符合RoHS
5.8-17GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHA3666 - QAG是一个两级自偏置
宽带单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
pHEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是无铅封装。
获得& NF @Config ; P1 = N2 =接地
主要特点
■
宽带性能6-17GHz
■
1.8分贝噪声系数
■
26dBm的3
rd
阶截取点
■
16dBm的功率，在1dB压缩
■
21分贝增益
■
低DC功耗
■
16L - QFN3x3 SMD封装
增益&NF （ dB）的
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
6
8
10
12
14
16
18
20
频率（GHz ）
主要特点
温度= + 25 ° Vd1的= Vd2的= + 4V ， P1& N2 = GND
C,
符号
NF
G
IP3
噪声系数
收益
3阶截取点
19
参数
民
典型值
1.8
21
26
最大
2
单位
dB
dB
DBM
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA3666 - QAG8108 - 08年4月17日
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