CHA3512
符合RoHS
6-18GHz低噪声数字可变增益放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA3512由单极组成
通过加倍( SPDT)开关后跟一个
一步到位的数字衰减器和一个双
舞台行波放大器。它被设计
为国防应用。的背面
芯片是射频和直流接地。这有助于
简化组装过程。
该电路具有的pHEMT制
过程中, 0.25μm的栅极长度,导通孔
穿过衬底,空气桥和
电子束光刻门。
0分贝状态
它是在芯片的形式提供。
主要特点
■
性能: 6-18GHz
■
23dBm的饱和输出功率
■
16分贝增益
■
1位衰减器为20dB动态范围
■
DC功耗: 210毫安@ 4.5V
■
芯片尺寸: 4.27 X 2.46 X 0.1毫米
20分贝状态
典型的晶圆上测量
增益与衰减状态
主要特点
TAMB 。 = 25°
C
符号
FOP
G
PSAT
ATT达因
参数
工作频率范围
小信号增益@衰减状态0分贝
饱和输出功率@衰减状态0分贝
衰减范围
民
6
典型值
16
23
20
最大
18
单位
GHz的
dB
DBM
dB
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 DSCHA3512-8144 - 08年5月23日
1/10
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09