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CHA2411-QDG 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	CHA2411-QDG
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内容描述：	GaAs单片微波IC采用QFN封装 [GaAs Monolithic Microwave IC In QFN package]
分类和应用：	微波
文件页数/大小：	10 页 / 684 K
品牌：	UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]

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CHA2411-QDG

符合RoHS

20-25GHz低噪声放大器

GaAs单片微波IC

采用QFN封装

描述

该CHA2411是单片低

噪声放大器在K波段提供26分贝增益

从单一的偏置电源的+ 5V与噪声

图2.5分贝。所有有源器件是自

偏压在芯片上。

该电路具有一个制

标准的GaAs PHEMT工艺： 0.25微米门

长度，通过穿过基板，空气孔

桥梁和电子束光刻门。

芯片递送至24信息

符合RoHS标准QFN4x4包。

工作原理图

主要特点

n

n

n

n

n

•

出色的噪声系数： 2.5分贝

稳定的增益随温度26

±

2dB

单电源： + 5V

设备的自偏置芯片

标准SMD封装： QFN 24L 4x4的

塑料包装

采用QFN封装主要特点

TAMB = + 25°C

参数

频带

小信号增益

SSB噪声系数

输入/输出回波损耗

民

20

22

26

2.5

15

典型值

最大

25

30

单位

GHz的

dB

dB

dB

ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！

参考文献。： DSCHA2411QDG6174 - 06年6月23日

1/10

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

联合单片半导体S.A.S.

路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国

电话：： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09

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