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CHA2395-99F/00 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA2395-99F/00
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内容描述: 36-40GHz低噪声非常高的增益放大器 [36-40GHz Low Noise Very High Gain Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 6 页 / 90 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA2395
36-40GHz低噪声非常高的增益放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2395是四阶段的单片低
噪声放大器。它是专为宽
的应用范围,从军事到
商用通信系统。
该电路具有的HEMT制造
过程: 0.25μm的栅极长度,导通孔
穿过衬底,空气桥和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
Vd
Vd
In
OUT
VG 1,2
VG 3,4
典型的晶圆上测量:
主要特点
宽带演出
3.0分贝噪声系数
30分贝增益
±1.0dB
增益平坦度
低直流功率消耗,
90mA@3.5V
芯片尺寸: 2.07 X 1.11 X 0.10毫米
35
30
6
5
增益(dB )
20
15
10
5
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
频率(GHz )
3
2
1
0
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
P1dB
NF
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
噪声系数
36
25
8
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
30
10
3.0
4.0
dB
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA23952240 -28 -八月-02
1/6
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09
NF( dB)的
25
4