CHA2190
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = + 4V （晶圆）
符号
FOP
G
∆G
NF
VSWRin
VSWRout
IP3
P1dB
Id
参数
工作频率范围
增益（1）
增益平坦度（ 1 ）
噪声图（1）
输入电压驻波比（1）
输出中VSWR （ 1 ）
3阶截取点
20-30GHz低噪声放大器
民
20
13
典型值
最大
30
单位
GHz的
dB
15
±
0.5
2.2
±
1
3
3.0:1
3.0:1
20
11
50
70
dB
dB
DBM
DBM
mA
在1分贝增益压缩输出功率（ 2 ）
漏极偏置电流（ 3）
（1）这些值代表晶片的测量，而不必在RF端口接合线。
（2） ，该值是当Vd的= 4V VG1 = VG2 = 0V或不连接，并且可以增加一个典型值
看芯片偏置选项第8页
（3） ，该电流是低噪声和低电流消耗偏压的典型值：
VD = 4V ， VG1 VG2 = = 0V或没有连接。
绝对最大额定值
(4)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
Vg
针
顶部
TSTG
参数
漏极偏压（6）
VG1和VG2最大
最大峰值输入功率过载（ 5 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.5
+1
15
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
DBM
°C
°C
（ 4 ）该设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（ 5 ）持续时间< 1秒。
（ 6 ）看片偏置选项页8/9
REF ：
DSCHA21902036 -05 -二月- 02-
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