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CHA2190-99F/00 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA2190-99F/00
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内容描述: 20-30GHz低噪声放大器 [20-30GHz Low Noise Amplifier]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器
文件页数/大小: 9 页 / 165 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA2190
20-30GHz低噪声放大器
自偏置
GaAs单片微波IC
描述
该电路是一个两阶段的自偏置的宽
波段单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺: 0.25微米栅长,通过
穿过衬底,空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
18
14
10
主要特点
dBSij & NF( dB)的
§
§
§
§
§
§
宽带性能20-30GHz
2.2分贝噪声系数
15dB增益的雪,
±
0.5分贝增益平坦度
低DC功耗为50mA
20dBm的三阶截取点
芯片尺寸: 1.670 X 1.03x 0.1毫米
6
2
-2
-6
-10
-14
-18
-22
-26
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
dBS11
dBS21
dBS22
NF
频率( GHz)的
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
∆G
参数
噪声系数频率: 40GHz的
收益
增益平坦度
晶圆典型的测量
典型值
2.2
最大
3
单位
dB
dB
13
15
±
.0.5
±
1
dB
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
REF :
DSCHA21902036 -05 -二月- 02-
1/9
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
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