CHA2095a
36-40GHz低噪声非常高的增益放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2095a是四阶段的单片低
噪声放大器。它被设计为广泛
的应用,从军事到商业
通信系统。
该电路具有的HEMT制造
过程: 0.25μm的栅极长度,经由通孔
基板,空气桥和电子束
栅光刻技术。
它是在芯片的形式提供。
In
Vd
Vd
OUT
VG 1,2
VG 3,4
典型的晶圆上测量:
¦
宽带演出
¦
3.5分贝噪声系数
¦
26分贝GAIN
¦
±1.0dB
增益平坦度
¦
低DC功耗, 90毫安@ 3.5V
¦
芯片尺寸: 2.07 X 1.11 X 0.10毫米
增益& NF( dB)的
主要特点
30
25
20
15
10
5
0
30
35
40
频率(GHz )
45
50
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
FOP
G
P1dB
NF
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
噪声系数
民
36
22
8
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
DBM
26
10
3.5
4.0
dB
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA20958147
1/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09