CHA2095a
电气特性
TAMB = + 25 ° C， VD = 3.5V
符号
FOP
G
∆G
ΔGsb
Is
P1dB
VSWRin
36-40GHz低噪声放大器
参数
工作频率范围（1）
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
增益波动超过40MHz的（在-30 + 75 ° C）
反向隔离（ 1 ）
在1分贝增益压缩输出功率
输入电压驻波比（1）
民
36
22
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
dB
26
±1.0
0.5
dBpp的
dB
DBM
35
8
40
10
2.5:1
2.5:1
3.5
3.0:1
3.0:1
4.0
4
+0.4
140
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
NF
VDC
噪声图（2）
直流电压
Vd
Vg
dB
V
V
mA
3.5
-2
90
Id
偏置电流（ 2）
（1）这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。
（2） 90毫安是用于在晶片测量的典型的偏置电流，以调节Vg1,2
电压，以获得最佳的噪声系数和Vg3,4调整的最大增益。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25 ° C（ 1 ）
符号
Vd
Vg
Id
针
Ta
TSTG
(1)
(2)
参数
漏偏置电压
栅极偏置电压
漏极偏置电流
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
工作温度范围
存储温度范围
值
4.0
-2.0到+0.4
200
+15
-40至+85
-55〜 155
单位
V
V
mA
DBM
°C
°C
该设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA20958147
2/7
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
