CHA2090
17-24GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2090是一个三阶段的自偏置
宽带单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺: 0.25微米栅长,通过
穿过衬底,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
30
25
12
10
8
6
4
2
0
5
7
9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35
频率( GHz)的
主要特点
§
§
§
§
§
宽带性能17-24GHz
2.0分贝噪声系数
23分贝增益,
±
1分贝增益平坦度
低DC功耗, 55毫安
芯片尺寸: 2170 X 1,270x 0.1毫米
20
15
10
5
0
晶圆典型的测量
主要特点
TAMB = + 25 ° C, VD = 4.5V ,片B, D,E = GND
符号
FOP
NF
G
VSWRin
VSWRout
参数
工作频率范围
噪声系数
收益
输入VSWR
输出VSWR
19
民
17
2.0
23
2:1
2:1
典型值
最大
24
3.0
单位
GHz的
dB
dB
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA20909347 - 99年12月13日
1/8
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09