CHA2069
18-31GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该电路是一个三阶段的自偏置
宽带单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺: 0.25微米栅长,通过
穿过衬底,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
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主要特点
宽带性能18-31GHz
2.5分贝噪声系数
22分贝增益,
±
1分贝增益平坦度
低DC功耗, 55毫安
20dBm的三阶截取点
芯片尺寸: 2170 X 1,270x 0.1毫米
频率( GHz)的
在晶圆典型的测量。
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
∆G
参数
噪声系数, 18-31GHz
收益
增益平坦度
18
民
典型值
2.5
22
±
1
±
1.5
最大
3.5
单位
dB
dB
dB
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA20699273 - 8 - 09月99
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