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CHA2069RAF/24 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA2069RAF/24
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内容描述: 18-31GHz低噪声放大器 [18-31GHz Low Noise Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 7 页 / 174 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA2069RAF
18-31GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路( MMIC)中的
包是一个三阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺: 0.25微米栅长,
通过穿过基板,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
宽带绩效: 18-31GHz
增益= 21分贝(典型值)
噪声系数3.0分贝(典型f<26GHz )
回波损耗< -6dB
SMD无铅封装
尺寸: 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
请注意,密码1位于包(前侧视图)的左下角为来自单片所有的SMD型的包
半导体。它是通过在包盖的三角形表示。与PIN 1其他片开始逆时针(前视图)的编号。
注意:在包装上(有金属片即侧)的背面的点只是为了制造之用,并不表示
引脚1的位置。
参考文献。 : DSCHA2069RAF2169 -18月- 02-
1/7
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
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