18-30GHz低噪声放大器
典型的PCB实测性能
TAMB = + 25 ° VD = + 4,5V
C,
CHA2069-QDG
典型的C / I3与频率@噘/音= -5 dBm的
60
55
50
45
C / I3 （分贝）
40
35
30
25
20
18
19
20
21
22
频率（GHz ）
23
24
25
26
配置。大电流
（ BCF接地）
配置。低电流
（ BDE接地）
典型的C / I3与频率的关系，利用所提出的土地格局&板95541 。
典型的C / I3 VS噘/音@高电流配置
（ BCF接地）
60
50
40
C / I3 （分贝）
30
20
10
0
-10
-5
0
5
的Pout /音调（ dBm的）
10
15
18GHz
20GHz
23GHz
25GHz
典型的C / I3 VS噘/音@低电流配置
（ BDE接地）
60
18GHz
50
20GHz
23GHz
40
C / I3 （分贝）
25GHz
26GHz
30
20
26GHz
10
0
-10
-5
0
的Pout /音调（ dBm的）
5
10
15
典型的C / I3与输出功率，用建议的土地格局&板95541 。
参考文献。 DSCHA2069QDG6332 - 06年11月28日
9/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
