CHA2066
符合RoHS
10-16GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2066是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
A
B
C
D
E
NC
G1
7272
NC
G2
Vd
RFIN
RFOUT
UMS
增益（ dB）的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
频率（ GHz）的
0
1
2
3
4
¦
宽带性能10-16GHz
¦
2.0分贝噪声系数， 10-16GHz
¦
16分贝增益，
±
0.5分贝增益平坦度
¦
低DC功耗为50mA
¦
20dBm的三阶截取点
¦
芯片尺寸： 1.52 X 1.08 X 0.1毫米
在晶圆典型的测量。
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
∆G
参数
噪声系数， 10-16GHz
收益
增益平坦度
14
民
典型值
2.0
16
±
0.5
±
1.0
最大
2.5
单位
dB
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20664281 - 04年10月7日
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电话： ： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
噪声系数（dB ）
主要特点
20
5
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
