CHA2066-QAG
符合RoHS
10-16GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHA2066 - QAG是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。典型
应用范围从电信
(点对点,点多点, VSAT )以
ISM和军用市场。
该电路与一个标准制造的P
HEMT的过程: 0.25μm的栅极长度,导通孔
穿过衬底,空气桥和电子
束光刻门。
它是无铅SMD封装。
CHA2066 - QAG (低电流)
20
主要特点
增益& NF( dB)的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8
9
10
11
12
13
14
频率( GHz)的
15
16
17
18
增益dB
NF
■
宽带性能10-16GHz
■
2.5分贝噪声系数, 10-16GHz ( BD )
■
16分贝增益,
±
1.5分贝增益平坦度
■
低直流功率消耗。
■
20dBm的3
rd
截点( BE )
■
16L - QFN3x3 SMD封装
( BD & BE参考偏置条件)
主要特点
TAMB = + 25 °
C
符号
NF
G
IP3
参数
噪声系数, 10-16GHz ( BD )
收益
三阶截取点( BE )
14
20
民
典型值
2.5
16
21
最大
3.0
单位
dB
dB
DBM
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 DSCHA2066QAG6332 - 06年11月28日
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