CHA2063a
7-13GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2063a是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路具有一个制
PM- HEMT工艺: 0.25微米栅长,
通过穿过基板,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在芯片的形式或在一个密闭供给
无引线陶瓷封装。
主要特点
■
宽带性能7-13GHz
■
2.0分贝噪声系数, 8-13GHz
■
19分贝增益
■
低DC功耗, 40毫安
■
18dBm的三阶截取点
■
芯片尺寸: 1.52 X 1.27 X 0.1毫米
引脚输出
1 - NC
2 - NC
3 - RF输出
4 - NC
5 - Vdd的
6 - RF输入
主要特点
TAMB = + 25 ° C,封装形式
符号
NF
G
∆G
参数
噪声系数, 7-8GHz
噪声系数, 8-13GHz
收益
增益平坦度
16
民
典型值
2.5
2.0
19
±
2.0
最大
3.0
2.5
单位
dB
dB
dB
ESD保护:静电放电敏感器件观察处理注意事项!
参考文献。 : DSCHA20630096 -05 -APR- 00
1/10
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话: : +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09