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    UM61512AM-25 参数 Datasheet PDF下载

    UM61512AM-25图片预览
    型号： UM61512AM-25
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    内容描述： 64K ×8位高速CMOS SRAM [64K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 16 页 / 165 K
    品牌： UMC [ UMC CORPORATION ]
     浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第7页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第11页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第12页浏览型号UM61512AM-25的Datasheet PDF文件第13页  
    UM61512A
    时序波形（续）
    写周期2
    （芯片使能控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    t
    CW5
    CE1
    t
    AS1
    (4)
    t
    WR3
    CE2
    (4)
    t
    CW5
    t
    WP2
    WE
    t
    DW
    t
    DH
    D
    IN
    t
    WHZ7
    D
    OUT
    注：1 。
    2.
    3.
    4.
    t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    在重叠（T发生写入
    WP
    ）低CE1 ，高CE2和低WE的。
    t
    WR
    从最早的CE1的测量或WE变高或CE2变低，以在写入周期的末尾。
    如果CE1低电平的跳变或CE2高的转变同时发生的WE低转换或之后
    在WE过渡，输出将保持在高阻抗状态。
    5. t
    CW
    从CE变低或CE2变高到写的结束的后测。
    6. OE连续低。 （ OE = V
    IL
    )
    7.转换测量
    ±500mV
    从稳定状态。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
    9

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