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SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
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内容描述: RDS ( ON) 0.0135 VGS = 10V低栅极电荷。快速开关速度。 [RDS(ON) 0.0135 VGS=10V Low gate charge. Fast switching speed.]
分类和应用: 晶体栅极开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 269 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
IC
IC
MOSFET
产品speci fi cation
SI4410DY
电气特性TA = 25 ℃
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极阈值电压
(注2 )
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
GS
=0V,I
S
=2.3A
0.825
V
DS
= 15V ,我
D
= 10A ,V
GS
= 10V
V
DD
=25V,I
D
=1A,V
GS
=10V,
R
L
=25Ω,R
=6Ω
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
GS
=±20V,V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
,I
D
=250uA
V
GS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=4.5V,I
D
=5A
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流(注2 )
二极管的正向电压
注: 1.表面安装在FR4板
2.脉冲测试:脉冲Width≤300μs ,职务Cycle≤2 %
(注2 )
(注2 )
V
DS
=5V,V
GS
=10V
V
DS
=10V,I
D
=10A
20
27
1350
340
125
30
20
100
80
22
5
4
2.3
1.2
60
1
20
1
±100
3
0.0135
0.02
典型值
最大
单位
V
μA
nA
V
Ω
Ω
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
漏极 - 源极导通电阻(注2 )
记号
记号
4410
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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