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    MMBT4403 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT4403图片预览
    型号： MMBT4403
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常适用于中等功率放大和开关 [Ideal for Medium Power Amplification and Switching]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 2 页 / 197 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号MMBT4403的Datasheet PDF文件第2页  
    产品speci fi cation
    MMBT4403
    SOT-23
    单位：mm
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    ●
    非常适用于中等功率放大和开关
    +0.1
    2.4
    -0.1
    ●
    互补NPN类型可用（ MMBT4401 ）
    +0.1
    1.3
    -0.1
    1
    2
    0.95
    +0.1
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    0.55
    0.4
    ■
    特点
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    +0.1
    0.97
    -0.1
    1.Base
    +0.1
    0.38
    -0.1
    2.Emitter
    3.collector
    ■
    绝对最大额定值TA = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    器件总功耗氧化铝基板
    热阻，结到环境
    结温和存储温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    D
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    -40
    -40
    -5
    -600
    300
    417
    -55至150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ■
    电气特性TA = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    测试Conditons
    民
    -40
    -40
    -5
    -0.1
    -0.1
    30
    60
    100
    100
    20
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1.0毫安，我
    B
    = 0
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    = 0
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CB
    = -35 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -0.1毫安，V
    CE
    = -1.0 V
    I
    C
    = -1.0毫安，V
    CE
    = -1.0 V
    I
    C
    = -10毫安，V
    CE
    = -1.0 V
    I
    C
    = -150毫安，V
    CE
    = -2.0 V
    I
    C
    = -500毫安，V
    CE
    = -2.0 V
    I
    C
    = -150毫安，我
    B
    = -15毫安
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50毫安
    基射极饱和电压*
    跃迁频率
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    BE （
    SAT ）
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    能力= 20 mA ，V
    CE
    = 10 V ， F = 100 MHz的
    V
    CC
    = 30 V, V
    EB
    = 2.0 V,
    I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = 15毫安
    V
    CC
    = 30 V，I
    C
    = 150毫安，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15毫安
    200
    15
    20
    225
    30
    直流电流增益*
    h
    FE
    0-0.1
    300
    -0.4
    -0.75
    -0.95
    -1.3
    兆赫
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    集电极 - 发射极饱和电压*
    V
    CE（
    SAT ）
    V
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300微秒，占空比
    ≤
    2.0%.
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 2

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