IRLML6402TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML6402TRPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 219 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

IRLML6402PbF

超低导通电阻

P沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

LEAD -FREE

无卤

HEXFET

功率MOSFET

G 1

3 D

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.065Ω

描述

国际整流器这些P沟道MOSFET采用

先进的加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供

一个非常有效和可靠的设备电池的使用和

负载管理。

增强型散热垫大的引线框架已被纳入

成标准的SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率

MOSFET具有业界最小尺寸。这个包，

被称为MICRO3 ™ ，是非常适合应用在印刷

电路板的空间是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）

的MICRO3使得它能够很容易地融入极薄的应用

环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。

热阻和功耗的最佳

可用。

Micro3™

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量？

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-3.7

-2.2

-22

1.3

0.8

0.01

± 12

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

马克斯。

100

单位

° C / W

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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