产品speci fi cation
IRLML6401PbF
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超低导通电阻
P沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
1.8V的额定门
LEAD -FREE
无卤
HEXFET
®
功率MOSFET
*
'
6
V
DSS
= -12V
R
DS （ ON）
= 0.05Ω
国际整流器这些P沟道MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
®
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
一个非常有效和可靠的设备电池的使用和
负载管理。
增强型散热垫大的引线框架已
纳入标准SOT-23封装，以产生一个
HEXFET功率MOSFET，具有业界最小占位面积。
这个包，被称为MICRO3 ™ ，是理想的应用
其中，印刷电路板空间非常珍贵。低
在MICRO3的个人资料（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到
如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。的耐热性和耐
功耗是最好的。
Micro3™
描述
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量？
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-4.3
-3.4
-34
1.3
0.8
0.01
33
± 8.0
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
75
马克斯。
100
单位
° C / W
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
