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    IRLML6246TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRLML6246TRPBF图片预览
    型号： IRLML6246TRPBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 不含铅，无溴，无卤素多厂商兼容性符合RoHS标准 [RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen Multi-vendor compatibility]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 2 页 / 420 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号IRLML6246TRPBF的Datasheet PDF文件第1页  
    产品speci fi cation
    电气特性@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    ΔV
    （ BR ） DSS
    /ΔT
    J
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    漏极至源极漏电流
    I
    GSS
    R
    G
    政府飞行服务队
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    内部栅极电阻
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    参数
    漏极至源极击穿电压
    击穿电压温度。系数
    静态漏 - 源极导通电阻
    栅极阈值电压
    分钟。典型值。马克斯。单位
    20
    –––
    –––
    –––
    0.5
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    10
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    0.03
    30
    45
    0.8
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    4.0
    –––
    3.5
    0.26
    1.7
    3.6
    4.9
    11
    6.0
    290
    64
    41
    –––
    –––
    46
    66
    1.1
    1.0
    10
    150
    100
    -100
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    pF
    ns
    nC
    nA
    Ω
    S
    μA
    V
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250μA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 4.1A
    V
    GS
    = 2.5V ，我
    D
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 5μA
    V
    DS
    =16V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 55°C
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    GS
    = 12V
    V
    GS
    = -12V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 4.1A
    I
    D
    = 4.1A
    V
    DS
    =10V
    V
    GS
    = 4.5V
    V
    DD
    =10V
    I
    D
    = 1.0A
    R
    G
    = 6.8Ω
    V
    GS
    = 4.5V
    V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 16V
    ƒ = 1.0MHz的
    V / ℃参考至25℃ ，我
    D
    = 1毫安
    mΩ
    V
    d
    = 3.3A
    d
    d
    d
    源 - 漏额定值和特性
    符号
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    分钟。典型值。马克斯。单位
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    8.6
    2.8
    1.3
    A
    16
    1.2
    13
    4.2
    V
    ns
    nC
    条件
    MOSFET符号
    展示
    整体反转
    p-n结二极管。
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 4.1A ，V
    GS
    = 0V
    T
    J
    = 25 ° C，V
    R
    = 15V ，我
    F
    =1.3A
    的di / dt = 100A / μs的
    G
    S
    D
    Ù
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    d
    d
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    2 2

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