IRLML5203TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML5203TRPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 232 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

IRLML5203PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

低栅电荷

LEAD -FREE

无卤

DSS

-30V

DS （ ON）

最大值（ mW）的

98@V

= -10V

165@V

= -4.5V

-3.0A

-2.6A

描述

从国际整流器这些P沟道MOSFET

利用先进的加工技术，实现了

极低的导通电阻每硅片面积。这

效益为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在电池和负载管理使用

应用程序。

增强型散热垫大的引线框架已

纳入标准SOT-23封装到

产生HEXFET功率MOSFET具有业界

最小的足迹。这个包，被称为MICRO3

是理想的，其中印刷电路板的应用

空间是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）的

在MICRO3使其能够轻松地安装到非常薄

如便携式电子产品应用环境

和PCMCIA卡。的耐热性和耐

功耗是最好的。

Micro3

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-30

-3.0

-2.4

-24

1.25

0.80

± 20

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

马克斯。

100

单位

° C / W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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