IRLML2502TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRLML2502TRPBF
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内容描述：	HEXFET功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	2 页 / 257 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

IRLML2502PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

N沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

LEAD -FREE

无卤

G 1

3 D

DSS

= 20V

DS （ ON）

= 0.045Ω

描述

国际整流器这些N沟道MOSFET

利用先进的加工技术，以实现极

低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合

随着开关速度快和坚固耐用的设备的设计

这HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一个非常有效和可靠的设备

在电池和负载管理中使用。

增强型散热垫大的引线框架已

纳入标准SOT-23封装，以产生

一个HEXFET功率MOSFET，具有业界最小的

足迹。这个包，被称为MICRO3 ™ ，是理想的

应用印刷电路板空间受限的

溢价。该MICRO3的低调（ <1.1毫米）允许它

很容易在极瘦的应用环境

例如便携式电子设备和PCMCIA卡。热

电阻和功耗都是最好的。

Micro3™

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

4.2

3.4

1.25

0.8

0.01

± 12

-55到+ 150

单位

W / ℃，

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境？

典型值。

马克斯。

100

单位

° C / W

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4008-318-123

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