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IRF3205 参数 Datasheet PDF下载

IRF3205图片预览
型号: IRF3205
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内容描述: 先进的工艺技术超低导通电阻动态的dv / dt额定值 [Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 330 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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DIP型
SMDType
SMD型
DIP型
MOSFET
IC
晶体管
MOSFET
IC
产品speci fi cation
IRF3205
TO-220
3.30
±0.10
10.16
±0.20
ø3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
快速开关
全额定雪崩
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
0
(3
0.35
±0.10
2
1
#1
3
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
+0.10
2.76
±0.20
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
9.40
±0.20
1.门
2.漏
3.源
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
连续漏电流, V
GS
@ 10V ,T
C
= 25℃
连续漏电流, V
GS
@ 10V ,T
C
= 100℃
漏电流脉冲* 1
功耗
线性降额因子
线性降额因子
雪崩电流* 1
重复性雪崩能量* 1
峰值二极管恢复的dv / dt * 2
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
工作结存储温度范围
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
R
θJC
R
θCS
R
θJA
T
J
.T
英镑
符号
I
D
I
D
I
DM
P
D
等级
110
80
390
200
1.3
±
20
62
20
5
0.75 (MAX)
0.5
62 (最大)
-55〜 + 175
℃/W
W
W/℃
V
A
mJ
V / ns的
A
单位
* 1重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
*2 I
SD
62A ,D
i
/d
t
207A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,T
J
175℃
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4.70
±0.20
4008-318-123
15.87
±0.20
先进的工艺技术
6.68
±0.20
°
)
特点
1 4