FDV301N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDV301N
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内容描述：	[SOT-23]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	2 页 / 218 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

FDV301N

概述

这N沟道逻辑电平增强模式场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，高细胞产生

密度， DMOS技术。这非常高密度的过程

特别是针对减少通态电阻。这

设备已被设计特别适用于低电压

应用程序作为替换为数字晶体管。自

偏置电阻器不是必需的，这一个N型沟道FET可以

更换几个不同的数字晶体管，具有不同的偏

电阻值。

特点

25 V ， 0.22连续， 0.5 A峰值。

DS （ ON）

= 5

Ω

@ V

= 2.7 V

DS （ ON）

= 4

Ω

@ V

= 4.5 V.

非常低的水平栅极驱动要求可直接

操作3V电路。 V

GS （ TH）

< 1.5V 。

门源齐纳的ESD耐用性。

>6kV人体模型

替换多个NPN数字晶体管与一个DMOS

FET 。

SOT-23

马克： 301

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

逆变器应用

VCC

OUT

GND

绝对最大额定值

符号

参数

= 25

C除非其他明智的注意

FDV301N

单位

DSS

, V

GSS

, V

, I

英镑

ESD

漏源电压，供电电压

栅源电压，V

漏/输出电流

- 连续

0.22

0.5

最大功率耗散

工作和存储温度范围

静电放电额定值MIL -STD- 883D

人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）

热阻，结到环境

0.35

-55到150

6.0

°C

热特性

357

° C / W

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