FDN5618P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN5618P
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内容描述：	SuperSOT -3 [SuperSOT -3]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	2 页 / 513 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

FDN5618P

概述

这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高

电压的PowerTrench工艺。它已被优化为

电源管理应用。

特点

•

-1.25 A， -60 V. ř

DS （ ON）

= 0.170

Ω

@ V

= –10 V

DS （ ON）

= 0.230

Ω

@ V

= –4.5 V

•

开关速度快

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

•

DC- DC转换器

•

负荷开关

•

电源管理

SuperSOT -3

= 25°C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

, T

英镑

最大功率耗散

参数

评级

–60

±20

（注1A ）

单位

°C

–1.25

–10

0.5

0.46

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

618

设备

FDN5618P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

http://www.twtysemi.com

4008-318-123

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