FDN336P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN336P
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内容描述：	[SuperSOT-3]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 257 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

FDN336P

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET产生

利用飞兆半导体先进的PowerTrench

已特别是针对减少的过程中

通态电阻，但保持为低栅极电荷

出色的开关性能。

这些装置非常适用于便携式电子

应用：负载开关和电源管理，

电池充电电路和DC / DC转换。

特点

-1.3 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.20

Ω

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.27

Ω

@ V

= -2.5 V.

低栅极电荷（ 3.6 NC典型值）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

高功率版本的行业标准SOT- 23封装。

相同的引脚排列， SOT- 23高30％的功率处理

能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SuperSOT -3

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

= 25

C除非其他明智的注意

FDN336P

-20

±8

单位

- 连续

- 脉冲

-1.3

-10

（注1A ）

（注1B ）

最大功率耗散

0.5

0.46

-55到+150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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