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DMG2307L-7 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DMG2307L-7
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内容描述: P沟道增强型MOSFET的低导通电阻 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 244 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
 浏览型号DMG2307L-7的Datasheet PDF文件第2页  
产品speci fi cation
DMG2307L
P沟道增强型MOSFET
产品概述
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
最大
90mΩ @ V
GS
= -10V
I
D
最大
T
A
= 25°C
-3.8A
-3.1A
特点和优点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
-30V
134mΩ @ V
GS
= -4.5V
说明与应用
这种MOSFET的设计,以减少通态电阻
(R
DS ( ON)
),并同时保持出色的开关性能,使其
适用于高效率的电源管理应用。
通用接口开关
电源管理功能
负载开关,用于便携式设备
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接指示灯:参见图
码头:完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.08克(近似值)
订购信息
(注3)
产品型号
DMG2307L-7
注意事项:
1.没有故意添加铅。
SOT-23
包装
3000Tape &卷轴
标识信息
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
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